GS8160E32DGT-200IV

製品属性

属性値

メーカー：

GSIテクノロジー

製品カテゴリ：

SRAM

JBoss：

Y

メモリー容量：

18 Mbit

組織：

512 k x 32

アクセス時間：

6.5 ns

最大クロック周波数：

200 MHz

インターフェイスタイプ：

平行

供給電圧-最大：

2.7 V

供給電圧-最小：

1.7 V

供給電流-最大：

225 mA, 230 mA

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 85 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TQFP-100

包装：

トレイ

メモリタイプ：

SDR

シリーズ：

GS8160E32DGT

タイプ：

DCD同期バースト

ブランド：

GSIテクノロジー

感湿性：

はい

製品タイプ：

SRAM

ファクトリーパックの数量：

18

サブカテゴリ：

メモリとデータストレージ

商標名：

SyncBurst

Tags

GS8160E32DGT-20, GS8160E32DGT-2, GS8160E32D, GS8160E32, GS8160E3, GS8160E, GS8160, GS816, GS81, GS8