NSVMMUN2113LT3G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

50 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

50 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

250 mV

最大DCコレクタ電流：

100 mA

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

包装：

リール

ブランド：

オン・セミコンダクター

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

80

Pd-消費電力：

230 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

資格：

AEC-Q101

ファクトリーパックの数量：

10000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.000282 oz

Tags

NSVMMUN211, NSVMMUN21, NSVMMU, NSVMM, NSVM, NSV