STE70NM60

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

ISOTOP-4

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

70 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

55 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

600 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

MDmesh

包装：

チューブ

高さ：

9.1 mm

長さ：

38.2 mm

シリーズ：

STE70NM60

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

25.5 mm

ブランド：

STMicroelectronics

フォワード相互コンダクタンス-最小：

35 S

立ち下がり時間：

76 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

95 ns

ファクトリーパックの数量：

100

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオン遅延時間：

55 ns

単位重量：

1 oz

Tags

STE70, STE7, STE