2SD1803S-E

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-251-3

トランジスタの極性：

NPN、PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

50 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

60 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

220 mV, - 280 mV

最大DCコレクタ電流：

8 A, - 8 A

ゲイン帯域幅積fT：

180 MHz, 130 MHz

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

2SD1803

高さ：

7 mm

長さ：

6.5 mm

包装：

バルク

幅：

2.3 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

5 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

55

Pd-消費電力：

1 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

500

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.009185 oz

Tags

2SD1803S, 2SD1803, 2SD180, 2SD18, 2SD1, 2SD