UMZ8NTR

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

トランジスタの極性：

NPN、PNP

構成：

デュアル

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

12 V, 50 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

15 V, 60 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

7 V

最大DCコレクタ電流：

0.15 A

ゲイン帯域幅積fT：

180 MHz, 260 MHz

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

UMZ8N

DC電流ゲインhFEMax：

120 at 1 mA, 6 V

高さ：

0.9 mm

長さ：

2 mm

包装：

リール

幅：

1.25 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

120

Pd-消費電力：

150 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

UMZ8, UMZ