DMG1012T-13

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-523-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

630 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

400 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

500 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

6 V

Qg-ゲートチャージ：

736.6 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

0.28 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

ブランド：

組み込まれたダイオード

フォワード相互コンダクタンス-最小：

14 S

立ち下がり時間：

12.3 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

7.4 ns

ファクトリーパックの数量：

10000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

26.7 ns

典型的なターンオン遅延時間：

5.1 ns

単位重量：

0.000071 oz

Tags

DMG1012T, DMG1012, DMG101, DMG1, DMG