PMBFJ309,215

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

JFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

トランジスタの極性：

Nチャネル

構成：

独身

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

25 V

Vgs-ゲート-ソース間降伏電圧：

- 25 V

Vgs = 0でのドレイン-ソース電流：

10 mA

Id-連続ドレイン電流：

30 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

50 Ohms

Pd-消費電力：

250 mW

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

PMBFJ309

包装：

リール

高さ：

1 mm

長さ：

3 mm

タイプ：

JFET

幅：

1.4 mm

ブランド：

NXPセミコンダクターズ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

10 mS

ゲート-ソースカットオフ電圧：

- 4 V

最大ドレインゲート電圧：

- 25 V

ファクトリーパックの数量：

3000

パーツ番号エイリアス：

934008990215

単位重量：

0.000282 oz

Tags

PMBFJ309, PMBFJ30, PMBFJ3, PMBFJ, PMBF, PMB