APT10035JLL

製品属性

属性値

メーカー：

マイクロチップ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

シャーシマウント

パッケージ/ケース：

SOT-227-4

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

1 kV

Id-連続ドレイン電流：

25 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

350 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

186 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

520 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

高さ：

8.9 mm

長さ：

38 mm

製品：

MOSFET

タイプ：

パワーMOSFET

幅：

25.2 mm

ブランド：

マイクロチップ/マイクロセミ

立ち下がり時間：

9 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

10 ns

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

36 ns

典型的なターンオン遅延時間：

12 ns

単位重量：

1.058219 oz

Tags

APT10035, APT1003, APT100, APT10, APT1, APT