DMN6066SSS-13

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

3.7 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

48 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

5.4 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.56 W

構成：

デュアル

包装：

リール

製品：

MOSFET小信号

シリーズ：

DMN60

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

組み込まれたダイオード

フォワード相互コンダクタンス-最小：

19.2 S

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.002610 oz

Tags

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