CSD87501LT

製品属性

属性値

メーカー：

テキサスインスツルメンツ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

BGA-10

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

14 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

4.6 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

15 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.5 W

構成：

デュアル

商標名：

NexFET

包装：

リール

高さ：

0.2 mm

長さ：

3.37 mm

シリーズ：

CSD87501L

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

幅：

1.47 mm

ブランド：

テキサスインスツルメンツ

立ち下がり時間：

712 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

260 ns

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

709 ns

典型的なターンオン遅延時間：

164 ns

単位重量：

0.000109 oz

Tags

CSD8750, CSD875, CSD87, CSD8, CSD