STL120N8F7

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PowerFLAT-5x6-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

80 V

Id-連続ドレイン電流：

120 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

4.4 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

60 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

140 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

STripFET

高さ：

1 mm

長さ：

6.15 mm

シリーズ：

STL120N8F7

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

5.2 mm

ブランド：

STMicroelectronics

立ち下がり時間：

15.4 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

16.8 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

60 ns

典型的なターンオン遅延時間：

34.5 ns

Tags

STL120, STL12, STL1, STL