30A02CH-TL-E

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 30 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 30 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 110 mV

最大DCコレクタ電流：

- 700 mA

ゲイン帯域幅積fT：

520 MHz

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

30A02CH

DC電流ゲインhFEMax：

500

包装：

リール

ブランド：

オン・セミコンダクター

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

200

Pd-消費電力：

700 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.000282 oz

Tags

30A02CH-T, 30A02C, 30A02, 30A0, 30A