CSD87335Q3DT

製品属性

属性値

メーカー：

テキサスインスツルメンツ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

LSON-CLIP-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

25 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

2.4 Ohms, 1.2 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V, 750 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

5.7 nC, 10.7 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

6 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

商標名：

NexFET

包装：

リール

高さ：

1.5 mm

長さ：

3.3 mm

シリーズ：

CSD87335Q3D

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

幅：

3.3 mm

ブランド：

テキサスインスツルメンツ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

59 S, 107 S

立ち下がり時間：

4 ns, 5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

29 ns, 27 ns

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

13 ns, 17 ns

典型的なターンオン遅延時間：

8 ns, 8 ns

単位重量：

0.002402 oz

Tags

CSD8733, CSD873, CSD87, CSD8, CSD