SI1922EDH-T1-GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-363-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

1.3 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

198 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

400 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

Qg-ゲートチャージ：

2.5 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.25 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

商標名：

TrenchFET

包装：

リール

高さ：

1 mm

長さ：

2.1 mm

シリーズ：

SI1

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

幅：

1.25 mm

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

4 S

立ち下がり時間：

220 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

80 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

480 ns

典型的なターンオン遅延時間：

43 ns

パーツ番号エイリアス：

SI1988DH-T1-GE3

単位重量：

0.000265 oz

Tags

SI1922EDH-T1, SI1922EDH-T, SI1922, SI192, SI19, SI1