PHB18NQ10T,118

製品属性

属性値

メーカー：

Nexperia

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

18 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

90 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

79 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

4.5 mm

長さ：

10.3 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

9.4 mm

ブランド：

Nexperia

立ち下がり時間：

12 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

36 ns

ファクトリーパックの数量：

800

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

18 ns

典型的なターンオン遅延時間：

6 ns

パーツ番号エイリアス：

/T3 PHB18NQ10T

単位重量：

0.050442 oz

Tags

PHB18NQ1, PHB18, PHB1, PHB