DMN2024UTS-13

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TSSOP-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

6.2 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

24 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

0.35 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

0.9 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.39 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

組み込まれたダイオード

立ち下がり時間：

245 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

1024 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

434 ns

典型的なターンオン遅延時間：

140 ns

Tags

DMN2024, DMN202, DMN20, DMN2, DMN