VNB20N07-E

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Id-連続ドレイン電流：

20 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

50 mOhms

Qg-ゲートチャージ：

60 nC

Pd-消費電力：

83 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

チューブ

シリーズ：

VNB20N07

トランジスタタイプ：

1 N-Channel OMNIFET Power MOSFET

タイプ：

ローサイド

ブランド：

STMicroelectronics

フォワード相互コンダクタンス-最小：

17 S

立ち下がり時間：

150 ns, 3.5 us

感湿性：

はい

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

240 ns, 1.5 us

ファクトリーパックの数量：

800

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

430 ns, 6 us

典型的なターンオン遅延時間：

90 ns, 800 ns

単位重量：

0.139332 oz

Tags

VNB20, VNB2, VNB