CSD17484F4T

製品属性

属性値

メーカー：

テキサスインスツルメンツ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PICOSTAR-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

3.0 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

128 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

650 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

12 V

Qg-ゲートチャージ：

920 pC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

500 mW (1/2 W)

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

FemtoFET

包装：

リール

高さ：

0.2 mm

長さ：

1 mm

シリーズ：

CSD17484F4

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

0.6 mm

ブランド：

テキサスインスツルメンツ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

4 S

立ち下がり時間：

4 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

1 ns

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

11 ns

典型的なターンオン遅延時間：

3 ns

単位重量：

0.000014 oz

Tags

CSD174, CSD17, CSD1, CSD