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| モデル | メーカー | 説明 | ストック | 価格 |
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| HSB83(TL-E) DISTI # 30578736 | Renesas Electronics Corporation | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE FOR HIGH VOLTAGE SWITCHING | 1960 |
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| HSB83TL-E DISTI # C1S620200380777 | Renesas Electronics Corporation | Schottky Barrier Diodes RoHS: Compliant | 1960 |
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| HSB83TL-E | Renesas Electronics Corporation | RoHS: Not Compliant | 30000 |
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| 画像 | モデル | 説明 |
|---|---|---|
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Mfr.#: HSB83J OMO.#: OMO-HSB83J-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: HSB83JTL-E OMO.#: OMO-HSB83JTL-E-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: HSB83YP OMO.#: OMO-HSB83YP-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: HSB83YP-JTR-E OMO.#: OMO-HSB83YP-JTR-E-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: HSB857 OMO.#: OMO-HSB857-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: HSB857-C+ OMO.#: OMO-HSB857-C--1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: HSB882 OMO.#: OMO-HSB882-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: HSB88WATR OMO.#: OMO-HSB88WATR-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: HSB88WS OMO.#: OMO-HSB88WS-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: HSB88YPTL-E OMO.#: OMO-HSB88YPTL-E-1190 |
ブランドニューオリジナル |
