TK17E80W,S1X

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

800 V

Id-連続ドレイン電流：

17 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

250 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

32 nC

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

180 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

DTMOSIV

シリーズ：

TK17E80W

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

東芝

立ち下がり時間：

7 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

24 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

80 ns

典型的なターンオン遅延時間：

58 ns

単位重量：

0.063493 oz

Tags

TK17E8, TK17E, TK17, TK1