CSD18563Q5AT

製品属性

属性値

メーカー：

テキサスインスツルメンツ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

E

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

VSONP-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

100 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

6.8 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.7 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

15 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

116 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

NexFET

包装：

リール

高さ：

1 mm

長さ：

5.75 mm

シリーズ：

CSD18563Q5A

トランジスタタイプ：

1 N-Channel Power MOSFET

タイプ：

NexFETパワーMOSFET

幅：

4.9 mm

ブランド：

テキサスインスツルメンツ

開発キット：

TPS40170EVM-597

立ち下がり時間：

1.7 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

6.3 ns

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

11.4 ns

典型的なターンオン遅延時間：

3.2 ns

単位重量：

0.003041 oz

Tags

CSD185, CSD18, CSD1, CSD