MRF9002NR2

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

65 V

利得：

18 dB

出力電力：

2 W

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PFP-16

包装：

リール

構成：

トリプルデュアルドレイン

高さ：

2.1 mm

長さ：

7.1 mm

動作周波数：

1 GHz

タイプ：

RFパワーMOSFET

幅：

7.1 mm

ブランド：

NXP /フリースケール

チャネルモード：

強化

感湿性：

はい

Pd-消費電力：

4 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1500

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 0.5 V, 15 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4 V

Tags

MRF9002, MRF900, MRF90, MRF9, MRF