CSD87334Q3DT

製品属性

属性値

メーカー：

テキサスインスツルメンツ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

E

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

VSON-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

20 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

8.3 mOhms, 8.3 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

750 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

Qg-ゲートチャージ：

8.3 nC, 8.3 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

6 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

商標名：

NexFET

包装：

リール

高さ：

1 mm

長さ：

3.3 mm

シリーズ：

CSD87334Q3D

幅：

3.3 mm

ブランド：

テキサスインスツルメンツ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

62 S

開発キット：

VSON

立ち下がり時間：

17 ns, 17 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

7 ns, 7 ns

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

11 ns, 11 ns

典型的なターンオン遅延時間：

4 ns, 4 ns

単位重量：

0.002677 oz

Tags

CSD8733, CSD873, CSD87, CSD8, CSD