2SA2029T2LR

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 50 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 60 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 0.5 V

最大DCコレクタ電流：

- 0.15 A

ゲイン帯域幅積fT：

140 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

2SA2029

DC電流ゲインhFEMax：

560

高さ：

0.5 mm

長さ：

1.2 mm

包装：

リール

幅：

0.8 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

連続コレクタ電流：

- 0.15 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

120

Pd-消費電力：

150 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

8000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

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