BSS84W-G

製品属性

属性値

メーカー：

Comchipテクノロジー

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-323-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

50 V

Id-連続ドレイン電流：

130 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

10 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

- 1.6 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

200 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

終了スタイル：

SMD / SMT

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

ブランド：

Comchipテクノロジー

フォワード相互コンダクタンス-最小：

50 mS

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

18 nS

典型的なターンオン遅延時間：

10 nS

Tags

BSS84W, BSS84, BSS8, BSS