STB21N90K5

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

900 V

Id-連続ドレイン電流：

18.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

299 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

43 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

250 W

商標名：

SuperMESH

包装：

リール

シリーズ：

STB21N90K5

ブランド：

STMicroelectronics

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.139332 oz

Tags

STB21N, STB21, STB2, STB