BSO613SPV G

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

3.44 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

110 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

30 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.5 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

SIPMOS

包装：

リール

高さ：

1.75 mm

長さ：

4.9 mm

シリーズ：

BSO613

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

幅：

3.9 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

2.2 S

立ち下がり時間：

12 ns

感湿性：

はい

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

11 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

32 ns

典型的なターンオン遅延時間：

10 ns

パーツ番号エイリアス：

BSO613SPVGHUMA1 BSO613SPVGXT SP000216309

単位重量：

0.019048 oz

Tags

BSO613SPVG, BSO613, BSO61, BSO6, BSO