2N5210NMBU

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-92-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

50 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

50 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

4.5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

0.7 V

最大DCコレクタ電流：

0.1 A

ゲイン帯域幅積fT：

30 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

600

高さ：

4.58 mm

長さ：

4.58 mm

包装：

バルク

幅：

3.86 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

連続コレクタ電流：

0.1 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

200

Pd-消費電力：

625 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.008466 oz

Tags

2N521, 2N52, 2N5