DMN3730UFB4-7

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

X2-DFN1006-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

730 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

460 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

Qg-ゲートチャージ：

1.6 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

690 mW

構成：

独身

包装：

リール

製品：

MOSFET小信号

シリーズ：

DMN37

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

組み込まれたダイオード

フォワード相互コンダクタンス-最小：

40 mS

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.000529 oz

Tags

DMN3730UFB4, DMN3730UF, DMN3730U, DMN3730, DMN37, DMN3, DMN