STE60N105DK5

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

ディスクリート半導体モジュール

JBoss：

Y

製品：

パワーMOSFETモジュール

タイプ：

高電圧

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

取り付けスタイル：

スクリューマウント

パッケージ/ケース：

ISOTOP-4

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

STE60N105DK5

構成：

独身

ブランド：

STMicroelectronics

トランジスタの極性：

Nチャネル

立ち下がり時間：

49.5 ns

Id-連続ドレイン電流：

46 A

動作供給電圧：

840 V

Pd-消費電力：

680 W

製品タイプ：

ディスクリート半導体モジュール

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

110 mOhms

立ち上がり時間：

64.5 ns

ファクトリーパックの数量：

100

サブカテゴリ：

ディスクリート半導体モジュール

商標名：

MDmesh

典型的なターンオフ遅延時間：

262 ns

典型的なターンオン遅延時間：

40.6 ns

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

1050 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Tags

STE60, STE6, STE