D2008UK

製品属性

属性値

メーカー：

TTエレクトロニクス

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

2 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

65 V

利得：

13 dB

出力電力：

5 W

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-39-3

構成：

独身

高さ：

4.95 mm

長さ：

9.4 mm

動作周波数：

400 MHz

タイプ：

RFパワーMOSFET

幅：

9.4 mm

ブランド：

Semelab / TT Electronics

Pd-消費電力：

29 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V to 7 V

Tags

D2008, D200, D20