TGF2955

Mfr. #:: TGF2955
メーカー:: Qorvo
説明:: RF JFET Transistors DC-12GHz 40W 32V GaN P3dB @ 3GHz 46.5dBm
ライフサイクル:: メーカー新製品
データシート:: TGF2955 データシート
配達:: DHL FedEx Ups TNT EMS
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ECAD Model:
詳しくは:: TGF2955 詳しくは

製品属性
属性値

メーカー: TriQuint（Qorvo）

製品カテゴリ: トランジスタ-FET、MOSFET-シングル

包装: ワッフル

パーツエイリアス: 1112260

取り付けスタイル: SMD / SMT

動作-温度-範囲: - 65 C to + 150 C

パッケージ-ケース: 死ぬ

テクノロジー: GaN SiC

構成: 独身

トランジスタタイプ: HEMT

利得: 19.2 dB

出力電力: 46.4 dBm

Pd-電力損失: 41 W

最高作動温度: + 150 C

最低作動温度: - 65

動作周波数: 15 GHz

Id-連続-ドレイン-電流: 2.5 A

Vds-ドレイン-ソース-ブレークダウン-電圧: 32 V

トランジスタ-極性: Nチャネル

最大ドレインゲート電圧: 100 V

Tags: TGF295, TGF29, TGF2, TGF

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TGF GaN on SiC Transistors: Qorvo TGF GaN on SiC Transistors for the Satellite, P to P, and Military communications along with Marine radar and Test and instrumentation. These are small footprint (dies) that handle high power (7W to 70W) and high frequency, up to 14GHz.

QPD GaN RF Transistors: Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

Market price

モデル	メーカー	説明	ストック	価格
TGF2955 DISTI # 772-TGF2955	Qorvo	RF JFET Transistors DC-12GHz 40W 32V GaN P3dB @ 3GHz 46.5dBm RoHS: Compliant	3	1:$75.1500 25:$65.7600 100:$57.5500
1112260 DISTI # TGF2955	Qorvo	RF POWER TRANSISTOR RoHS: Compliant	0	1:$33.0700

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画像	モデル	説明
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