FQB19N20CTM

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

E

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

200 V

Id-連続ドレイン電流：

19 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

170 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

3.13 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

4.83 mm

長さ：

10.67 mm

シリーズ：

FQB19N20C

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

QFET

幅：

9.65 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

10.8 S

立ち下がり時間：

115 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

150 ns

ファクトリーパックの数量：

800

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

135 ns

典型的なターンオン遅延時間：

15 ns

パーツ番号エイリアス：

FQB19N20CTM_NL

単位重量：

0.046296 oz

Tags

FQB19N20C, FQB19N2, FQB19, FQB1, FQB