ZTX658QSTZ

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-92-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

400 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

400 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

0.5 V

最大DCコレクタ電流：

500 mA

ゲイン帯域幅積fT：

50 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 200 C

包装：

弾薬パック

ブランド：

組み込まれたダイオード

連続コレクタ電流：

500 mA

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

40

Pd-消費電力：

1 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

2000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

ZTX658, ZTX65, ZTX6, ZTX