IXTN600N04T2

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

ディスクリート半導体モジュール

JBoss：

Y

タイプ：

TrenchT2 GigaMOS

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-227B

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

シリーズ：

IXTN600N04

包装：

チューブ

出力電流：

600 A

ブランド：

IXYS

トランジスタの極性：

Nチャネル

立ち下がり時間：

250 ns

Pd-消費電力：

940 W

製品タイプ：

ディスクリート半導体モジュール

立ち上がり時間：

20 ns

ファクトリーパックの数量：

10

サブカテゴリ：

ディスクリート半導体モジュール

商標名：

HiPerFET

単位重量：

1.058219 oz

Tags

IXTN6, IXTN, IXT