VND5N07TR-E

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Id-連続ドレイン電流：

5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

200 mOhms

Qg-ゲートチャージ：

18 nC

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

60 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

シリーズ：

VND5N07-E

トランジスタタイプ：

1 N-Channel OMNIFET II Power MOSFET

タイプ：

パワーMOSFET

ブランド：

STMicroelectronics

フォワード相互コンダクタンス-最小：

4 S

立ち下がり時間：

40 ns, 1100 ns

感湿性：

はい

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

60 ns, 400 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

150 ns, 3900 ns

典型的なターンオン遅延時間：

50 ns, 150 ns

単位重量：

0.139332 oz

Tags

VND5N0, VND5N, VND5, VND