DMN3730UFB4-7B

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

X2-DFN1006-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

910 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

460 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

450 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

Qg-ゲートチャージ：

1.6 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

0.69 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

ブランド：

組み込まれたダイオード

フォワード相互コンダクタンス-最小：

40 mS

立ち下がり時間：

13 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

2.8 ns

ファクトリーパックの数量：

10000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

38 ns

典型的なターンオン遅延時間：

3.5 ns

単位重量：

0.000035 oz

Tags

DMN3730UFB4, DMN3730UF, DMN3730U, DMN3730, DMN37, DMN3, DMN