NVMFD5877NLT1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DFN-5x6-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

17 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

60 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

23 W

構成：

デュアル

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

シリーズ：

NVMFD5877NL

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

1500

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.001319 oz

Tags

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