FCMT199N60

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

Power-88-4

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

20.2 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

199 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V, 30 V

Qg-ゲートチャージ：

57 nC

最低動作温度：

- 50 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

208 W

商標名：

SuperFET II

包装：

リール

高さ：

1.1 mm

長さ：

8 mm

シリーズ：

FCMT199N60

幅：

8 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

20 S

立ち下がり時間：

5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

10 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

64 ns

典型的なターンオン遅延時間：

20 ns

単位重量：

0.015839 oz

Tags

FCMT19, FCMT1, FCMT, FCM