2SA2125-TD-H

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-243-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 50 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 50 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

290 mV

ゲイン帯域幅積fT：

380 MHz

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

2SA2125

DC電流ゲインhFEMax：

560

包装：

リール

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

3 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

200

Pd-消費電力：

1.3 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

2SA2125, 2SA212, 2SA21, 2SA2, 2SA