NSVMUN5111DW1T3G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-プリバイアス

JBoss：

Y

構成：

デュアル

トランジスタの極性：

PNP

一般的な入力抵抗：

10 kOhms

典型的な抵抗比：

1

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

35

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

50 V

連続コレクタ電流：

100 mA

Pd-消費電力：

385 mW

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

包装：

リール

出力電圧：

200 mV

ブランド：

オン・セミコンダクター

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ-プリバイアス

資格：

AEC-Q101

ファクトリーパックの数量：

10000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

NSVMUN511, NSVMUN51, NSVMUN5, NSVMU, NSVM, NSV