2N3637UB/TR

製品属性

属性値

メーカー：

マイクロチップ

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

N

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

LCC-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

175 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

175 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

0.3 V

最大DCコレクタ電流：

1 A

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 200 C

DC電流ゲインhFEMax：

300 at - 50 mA, - 10 V

包装：

リール

ブランド：

マイクロチップ/マイクロセミ

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

55 at 100 uA, 10 V

Pd-消費電力：

1.5 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

100

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

2N3637, 2N363, 2N36, 2N3