PMDT670UPE,115

製品属性

属性値

メーカー：

Nexperia

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-666-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

550 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

670 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

800 mV

Qg-ゲートチャージ：

760 pC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.09 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

トランジスタタイプ：

2 P-Channel

ブランド：

Nexperia

立ち下がり時間：

72 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

30 ns

ファクトリーパックの数量：

4000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

80 ns

典型的なターンオン遅延時間：

18 ns

単位重量：

0.000099 oz

Tags

PMDT6, PMDT, PMD