MRF1535NT1

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

E

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

6 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

40 V

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

700 mOhms

利得：

13.5 dB

出力電力：

35 W

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-272-Wrap-6

包装：

リール

構成：

独身

高さ：

2.74 mm

長さ：

23.67 mm

動作周波数：

520 MHz

シリーズ：

MRF1535N

タイプ：

RFパワーMOSFET

幅：

6.4 mm

ブランド：

NXP /フリースケール

チャネルモード：

強化

感湿性：

はい

Pd-消費電力：

135 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

500

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.6 V

パーツ番号エイリアス：

935317208528

単位重量：

0.102294 oz

Tags

MRF1535N, MRF153, MRF15, MRF1, MRF