2SK2009TE85LF

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-346-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

200 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

2 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

500 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

2.5 V

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

200 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1.1 mm

長さ：

2.9 mm

シリーズ：

2SK2009

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

RF小信号MOSFET

幅：

1.5 mm

ブランド：

東芝

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

0.12 us

典型的なターンオン遅延時間：

0.06 us

単位重量：

0.000423 oz

Tags

2SK2009T, 2SK2009, 2SK200, 2SK20, 2SK2, 2SK