MRF6S19100NR1

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

E

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

68 V

利得：

14.5 dB

出力電力：

22 W

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-270-4

包装：

リール

構成：

独身

高さ：

2.64 mm

長さ：

17.58 mm

動作周波数：

1.93 GHz to 1.99 GHz

タイプ：

RFパワーMOSFET

幅：

9.07 mm

ブランド：

NXP /フリースケール

チャネルモード：

強化

感湿性：

はい

Pd-消費電力：

287 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

500

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

12 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

単位重量：

0.058073 oz

Tags

MRF6S19100N, MRF6S1910, MRF6S191, MRF6S19, MRF6S1, MRF6S, MRF6, MRF