NSV1C200LT1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 100 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 140 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 7 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 950 mV

最大DCコレクタ電流：

- 3 A

ゲイン帯域幅積fT：

120 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

NSS1C200L

DC電流ゲインhFEMax：

360 at - 500 mA, - 2 V

包装：

リール

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

- 2 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

120

Pd-消費電力：

490 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

資格：

AEC-Q101

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.000282 oz

Tags

NSV1C2, NSV1C, NSV1, NSV