ST9060C

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

12 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

90 V

利得：

17.3 dB

出力電力：

80 W

最高作動温度：

+ 200 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

M243-3

動作周波数：

1.5 GHz

シリーズ：

ST9060C

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

STMicroelectronics

チャネル数：

1 Channel

Pd-消費電力：

170 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

2.9 V

Tags

ST90, ST9