BC856BS,115

製品属性

属性値

メーカー：

Nexperia

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TSSOP-6

トランジスタの極性：

PNP

構成：

デュアル

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 65 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

80 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 6 V

最大DCコレクタ電流：

- 200 mA

ゲイン帯域幅積fT：

100 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

200 at 2 mA, 5 V

高さ：

1 mm

長さ：

2.2 mm

包装：

リール

幅：

1.35 mm

ブランド：

Nexperia

連続コレクタ電流：

- 100 mA

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

290

Pd-消費電力：

200 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

資格：

AEC-Q101

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.035274 oz

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