BMS3003-1E

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

78 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

9 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

4 V

Qg-ゲートチャージ：

285 nC

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

40 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

シリーズ：

BMS3003-1E

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

立ち下がり時間：

680 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

360 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

1200 ns

典型的なターンオン遅延時間：

90 ns

単位重量：

0.211644 oz

Tags

BMS30, BMS3, BMS